宝瑞钛金设备

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多弧磁控溅射多功能离子镀膜设备LED芯片的制造工艺流程

2019-09-05 15:01 遵化宝瑞钛金设备 次阅读

多弧磁控溅射多功能离子镀膜备可在金属或非金属的表面镀制硬质增寿腊、装饰腊、合金膜或多层腊,可广泛用于刀刃、模具、钟表、首饰、灯具、建筑五金及装饰用彩色钢板、眼镜架、电子产品、医疗器械、仪器仪表等领域。

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多弧磁控溅射多功能离子镀膜设备在真空条件下采用物理气相沉积技术,在基片上镀制氮化钛及其它薄膜。它将多弧离子镀技术、柱形靶及磁控油射离子镀技术有机结合在一起,可单独使用或同时使用,制取含有连续过渡层的各种膜层。

多弧磁控溅射多功能离子镀膜设备制造简单,使用方便,运行成本低无污染,经济效益高。其双真空室可交替工作,能提高工效一倍,大大节省投资。该设备主要性能指标如下:镀膜室极限真空度1.3×10〈’-3〉Pa;抽真空时间(从大气抽至6.67×10〈’-3〉Pa)≤20min;压升率1Pa/h;工作周期1h;弧电流60 ̄90A;弧电压18 ̄21V;磁控油射靶功率10 ̄36kW。该设备已在国内外出售几十台套,取得了良好的社会经济效益。

真空镀膜设备LED芯片的制造工艺流程

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真空镀膜设备LED芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

LED制作流程分为两大部分。首先在衬低上制作氮化镓(GaN)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,真空镀膜设备按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,还有GaAs、AlN、ZnO等材料。MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用的设备。

接下来是对LED PN结的两个电极进行加工,电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对衬底进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。如果晶片清洗不够干净,蒸镀系统不正常,会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落,金属层外观变色,金泡等异常。

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蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片,因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等,若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中,各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等,因此会有晶粒电极刮伤情形发生。

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